Ελληνικά
Συνδεθείτε
| Τιμή | Negotiated |
| MOQ | 10pieces |
| Ωρα παράδοσης | 2-15days |
| Μάρκα | Infineon Technologies/International Rectifier IOR |
| Θέση προέλευσης | Κίνα |
| Certification | ROHS |
| Πρότυπος αριθμός | IRF1404ZPBF |
| Λεπτομέρειες συσκευασίας | τυποποιημένη συσκευασία |
| Όροι πληρωμής | T/T, Western Union |
| Δυνατότητα ανεφοδιασμού | 500000PCS |
| Brand Name | Infineon Technologies/International Rectifier IOR | Πρότυπος αριθμός | IRF1404ZPBF |
| Certification | ROHS | Θέση προέλευσης | Κίνα |
| Ελάχιστη ποσότητα διαταγής | 10pieces | Price | Negotiated |
| Όροι πληρωμής | T/T, Western Union | Δυνατότητα ανεφοδιασμού | 500000PCS |
| Χρόνος παράδοσης | 2-15days | Λεπτομέρειες συσκευασίας | τυποποιημένη συσκευασία |
| Οικογένεια | Διακριτά Προϊόντα Ημιαγωγών | Κατηγορία | Ηλεκτρονικά Εξαρτήματα-MOSFET (Μεταλλικό Οξείδιο) |
| Σειρά | HEXFET MOSFET (Οξείδιο μετάλλου) | Αριθμός μερών βάσεων | IRF1404 |
| Λεπτομέρειες | N-Channel 180A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB | Τύπος | Τρανζίστορ - FET, MOSFET - Μονά |
| Περιγραφή | MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB | Συσκευασία | TO220 |
| Τοποθετώντας τύπος | Μέσω της τρύπας | Αποθέματα | Σε αποθέματα |
IRF1404ZPBF Transistors N-Channel 180A 200W Through Hole TO-220AB HEXFET FET MOSFET
N-Channel 180A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB Προδιαγραφή:
|
Κατηγορία
|
Διακριτά
Προϊόντα
Ημιαγωγών
|
|
Τρανζίστορ
-
FET,
MOSFET
-
Μονά
|
|
|
Mfr
|
Infineon
Technologies
|
|
Σειρά
|
HEXFET®
|
|
Πακέτο
|
Σωλήνας
|
|
Τύπος
FET
|
N-Channel
|
|
Τεχνολογία
|
MOSFET
(οξείδιο
μετάλλου)
|
|
Τάση
αποστράγγισης
στην
πηγή
(Vdss)
|
40
V
|
|
Ρεύμα
-
Συνεχής
Αποστράγγιση
(Id)
@
25°C
|
180A
(Tc)
|
|
Τάση
μετάδοσης
κίνησης
(Μέγιστη
Rds
On,
Min
Rds
On)
|
10V
|
|
Rds
On
(Max)
@
Id,
Vgs
|
3,7mOhm
@
75A,
10V
|
|
Vgs(th)
(Max)
@
Id
|
4V
@
250µA
|
|
Χρέωση
πύλης
(Qg)
(Μέγ.)
@
Vgs
|
150
nC
@
10
V
|
|
Vgs
(Μέγ.)
|
±20V
|
|
Χωρητικότητα
εισόδου
(Ciss)
(Μέγ.)
@
Vds
|
4340
pF
@
25
V
|
|
Λειτουργία
FET
|
-
|
|
Διαρροή
ισχύος
(Μέγ.)
|
200W
(Tc)
|
|
Θερμοκρασία
λειτουργίας
|
-55°C
~
175°C
(TJ)
|
|
Τύπος
τοποθέτησης
|
Μέσα
από
την
τρύπα
|
|
Πακέτο
συσκευής
προμηθευτή
|
TO-220AB
|
|
Πακέτο
/
Θήκη
|
ΤΟ-220-3
|
|
Βασικός
αριθμός
προϊόντος
|
IRF1404
|
Περιγραφή
Αυτό το HEXFET® Power MOSFET χρησιμοποιεί τις πιο πρόσφατες τεχνικές επεξεργασίας για την επίτευξη εξαιρετικά χαμηλής αντίστασης ανά περιοχή πυριτίου.
Πρόσθετα χαρακτηριστικά αυτού του προϊόντος είναι η θερμοκρασία λειτουργίας διασταύρωσης 175°C, η γρήγορη ταχύτητα εναλλαγής και η βελτιωμένη βαθμολογία επαναλαμβανόμενης χιονοστιβάδας.Αυτά τα χαρακτηριστικά συνδυάζονται για να κάνουν αυτόν τον σχεδιασμό μια εξαιρετικά αποτελεσματική και αξιόπιστη συσκευή για χρήση σε μεγάλη ποικιλία εφαρμογών.
| ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΟ | ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ |
|---|---|
| Κατάσταση RoHS | Συμβατό με ROHS3 |
| Επίπεδο ευαισθησίας σε υγρασία (MSL) | 1 (Απεριόριστο) |
| Κατάσταση REACH | REACH Δεν επηρεάζεται |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
8541.29.0095 |
| Αριθμός ανταλλακτικού | IRF1404ZPBF |
| Βασικός αριθμός ανταλλακτικού | IRF1404 |
| EU RoHS | Συμμορφώνεται με την Εξαίρεση |
| ECCN (ΗΠΑ) | EAR99 |
| Κατάσταση μέρους | Ενεργός |
| HTS | 8541.29.00.95 |
