Τύπος υψηλής υπερχείλισης Πολυεπίπεδο Chip Varistor 2220 5650 5750 85V 4500A για την καταστολή του υπερχείλισης του εξοπλισμού επικοινωνίας

Τιμή Negotiable
MOQ 1000PCS
Ωρα παράδοσης 3-4 weeks
Μάρκα CNAMPFORT
Τόπος προέλευσης ΚΙΝΑ
Certification ROHS
Αριθμός μοντέλου RHC5650-850C452A
Λεπτομέρειες συσκευασίας Ταινία, 500 τμχ ανά κύλινδρο
Όροι πληρωμής T/T, Western Union
Ικανότητα προμήθειας 100.000.000pcs το μήνα

Λεπτομέρειες προϊόντος

Προδιαγραφές προϊόντος

Brand Name CNAMPFORT Αριθμός μοντέλου RHC5650-850C452A
Certification ROHS Τόπος προέλευσης ΚΙΝΑ
Ελάχιστη ποσότητα παραγγελίας 1000pcs Price Negotiable
Όροι πληρωμής T/T, Western Union Ικανότητα προμήθειας 100.000.000pcs το μήνα
Χρόνος παράδοσης 3-4 εβδομάδες Λεπτομέρειες συσκευασίας Ταινία, 500 τμχ ανά κύλινδρο
Ονομα Varistor τσιπ πολλαπλών στρώσεων τύπου High Surge Type Εξωτερικές διαστάσεις 5650 [2220],5,6x5,0 χλστ
Λειτουργική θερμοκρασία. -55℃ ~+125℃ Τάση εργασίας συνεχούς ρεύματος 85V
Μέγιστο ρεύμα κύματος 4500Α Τύπος Τύπος υψηλής υπέρτασης
Μέγιστα βολτ εναλλασσόμενου ρεύματος 60V Varistor τάση (τύπος) 100V

περιγραφή προϊόντος

Τύπος υψηλής υπερχείλισης Πολυεπίπεδο Chip Varistor 2220 5650 5750
Σχεδιασμένο για την καταστολή του υπερτάγματος ρεύματος σε εξοπλισμό επικοινωνίας, αυτός ο υψηλής απόδοσης πολλαπλών στρωμάτων βαρίστορας τσιπ παρέχει αξιόπιστη προστασία από υπερτάσεις με χρόνο απόκρισης νανοδευτερολέπτων.
Επισκόπηση του προϊόντος
Οι βαρύστεροι οξειδίου του ψευδαργύρου είναι πολυκρυσταλλικά ημιαγωγικά κεραμικά στοιχεία που κατασκευάζονται κυρίως από οξείδιο του ψευδαργύρου με διάφορα πρόσθετα οξειδίου του μετάλλου.Αυτές οι διατάξεις προστασίας περιορισμού τάσης συνδέονται παράλληλα με τα προστατευόμενα στοιχεία κυκλώματος, η ταχεία συμπίεση των παροδικών υπερεπιτάξεων σε ασφαλή επίπεδα μέσα σε νανοδευτερόλεπτα για την πρόληψη της βλάβης του κυκλώματος από κεραυνές, ηλεκτροστατικές εκκένωσεις ή παροδικές λειτουργίες.
Βασικά χαρακτηριστικά
  • Ο συμπαγής σχεδιασμός SMD εξοικονομεί χώρο και απλοποιεί την παραγωγή
  • Ο χρόνος απόκρισης σε νανοδευτερόλεπτα ικανοποιεί τις διάφορες απαιτήσεις προστασίας κυκλωμάτων
  • Υψηλότερη ικανότητα καταστολής υπερτάσεων σε σύγκριση με τις συσκευές TVS
  • Σταθερή απόδοση σε υψηλές θερμοκρασίες χωρίς υποβάθμιση σε 125°C
  • Κατώτατο ρεύμα διαρροής (IL
  • Διοπτική μη πολική προστασία με χαμηλή τάση συμπίεσης
  • Συμμόρφωση με την UL94V-0 βαθμολογία εύφλεκτης ικανότητας
  • Συμμόρφωση με τα περιβαλλοντικά πρότυπα RoHS
Εφαρμογές
  • Ηλεκτρονικά οχήματα: μονάδες ελέγχου, ηλεκτροϋδραυλικά φρένα, συστήματα ABS/ESP, συστήματα ελέγχου ηλιακής στέγης και παραθύρων
  • Βιομηχανικά όργανα, συστήματα ελέγχου, εξοπλισμός μέτρησης, κάμερες ασφαλείας, ηλεκτρονικοί μετρητές
  • Σταθμοί βάσης επικοινωνίας 5G, εξοπλισμός δικτύου, διεπαφές δικτύου, πίνακες ελέγχου προστασίας
  • Προστασία ESD για θύρες I/O ήχου/βίντεο, γραμμές δεδομένων υψηλής ταχύτητας (HDMI, USB 3.5)0, IEEE 1394), κεραίες και μονάδες ραδιοσυχνοτήτων
  • Συμμόρφωση με την προστασία από υπερτάσεις IEC 61000-4-5, την προστασία από EFT IEC 61000-4-4 και την προστασία από ESD IEC 61000-4-2 (επίπεδο 4)
Τεχνικές προδιαγραφές
Παράμετρος SDVL5650SD850PTHS452 RHC5650-850C452A
Κατασκευαστής Dongguan Ampfort Electronics Co., Ltd. Dongguan Ampfort Electronics Co., Ltd.
Ετικέτα Σάνλορντ CNAMPFORT
Μέγεθος (L × W) 50,9 × 5,1 mm 5.6 × 5,0 mm
Συσκευή Ταινία & Ρολ Ταινία & Ρολ
Μέγιστη τάση εναλλασσόμενου ρεύματος 60V 60V
Μέγιστη τάση συνεχούς τάσης 85V 85V
Τεχνολογία που χρησιμοποιείται για την παραγωγή ηλεκτρικής ενέργειας 90V 90V
Τετάρτη, Ιανουαρίου 100V 100V
Τετάρτη, Ιανουαρίου 110V 110V
Μέγιστη τάση συμπίεσης 165V 165V
ρεύμα κύματος 4.5KA 4.5KA
Ενεργειακή διαβάθμιση 21J 21J
Θέρμανση λειτουργίας -55°C έως 125°C -55°C έως 125°C
Τύπος στερέωσης Επιφανειακή τοποθέτηση, MLCV Επιφανειακή τοποθέτηση, MLCV
Πακέτο/Κουτί 2220 (5750 μετρικά) 2220 (5650 μετρικά)
Εικόνα προϊόντος
High Surge Type Multilayer Chip Varistor 2220 series component

Dongguan Ampfort Electronics Co., Ltd.

Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent, Exporter
  • Ετήσια έσοδα: 1850000-2340000
  • Υπαλλήλους: 51~200
  • Έτος Ίδρύσεως: 2014