Ελληνικά
Συνδεθείτε
| Τιμή | USD10/piece |
| MOQ | 1 piece |
| Ωρα παράδοσης | 3 working days |
| Μάρκα | ZG |
| Θέση προέλευσης | Κίνα |
| Certification | CE |
| Πρότυπος αριθμός | Κράτη μέλη |
| Λεπτομέρειες συσκευασίας | Ισχυρό ξύλινο κιβώτιο για τη σφαιρική ναυτιλία |
| Όροι πληρωμής | L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram |
| Δυνατότητα ανεφοδιασμού | 10000 κομμάτια το μήνα |
| Brand Name | ZG | Πρότυπος αριθμός | Κράτη μέλη |
| Certification | CE | Θέση προέλευσης | Κίνα |
| Ελάχιστη ποσότητα διαταγής | 1 κομμάτι | Price | USD10/piece |
| Όροι πληρωμής | L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram | Δυνατότητα ανεφοδιασμού | 10000 κομμάτια το μήνα |
| Χρόνος παράδοσης | 3 εργάσιμες ημέρες | Λεπτομέρειες συσκευασίας | Ισχυρό ξύλινο κιβώτιο για τη σφαιρική ναυτιλία |
| Εφαρμογή | Συσκευή υψηλής δύναμης Οπτικοηλεκτρονική συσκευή επιταξίας GaN συσκευών Εκπέμπουσα φως δίοδος | Διάμετρος | Ø 1»/Ø 2»/Ø 3»/Ø 4»/Ø 6» |
| Πάχος | 330 um um ~ 350 | Βαθμός | Βαθμός παραγωγής/ερευνητικός βαθμός |
Γκοφρέτα SIC
Η γκοφρέτα ημιαγωγών, Α.Ε. (SWI) παρέχει υψηλό - γκοφρέτα ποιοτικού ενιαίου κρυστάλλου SIC (καρβίδιο του πυριτίου) στην ηλεκτρονική και οπτικοηλεκτρονική βιομηχανία. Η γκοφρέτα SIC είναι ένα υλικό ημιαγωγών επόμενης γενιάς, με τις μοναδικές ηλεκτρικές ιδιότητες και οι άριστες θερμικές ιδιότητες, έναντι της γκοφρέτας πυριτίου και GaAs της γκοφρέτας, γκοφρέτα SIC είναι καταλληλότερες για την εφαρμογή υψηλής θερμοκρασίας και συσκευών υψηλής δύναμης. Η γκοφρέτα SIC μπορεί να παρασχεθεί στη διάμετρο 2 ίντσα, και 4H και 6H SIC, ν-τύπος, άζωτο που ναρκώνονται, και ημιμονωτικός τύπος διαθέσιμος. Παρακαλώ μας ελάτε σε επαφή με για περισσότερες πληροφορίες προϊόντων.
Εφαρμογή γκοφρετών SIC
| Συσκευή υψηλής συχνότητας | Υψηλής θερμοκρασίας συσκευή |
| Συσκευή υψηλής δύναμης | Οπτικοηλεκτρονική συσκευή |
| Συσκευή επιταξίας GaN | Εκπέμπουσα φως δίοδος |
Ιδιότητες γκοφρετών SIC
| Polytype | 6H-SIC | 4H-SIC |
| Κρύσταλλο που συσσωρεύει την ακολουθία | ABCABC | ABCB |
| Παράμετρος δικτυωτού πλέγματος | a=3.073A, c=15.117A | a=3.076A, c=10.053A |
| Ταινία-Gap | 3.02 eV | 3.27 eV |
| Διηλεκτρική σταθερά | 9.66 | 9.6 |
| Δείκτης διάθλασης | ΝΟ =2.707, ΝΕ =2.755 | ΝΕ =2.777 ΝΟ =2.719 |
Προδιαγραφή προϊόντων
| Polytype | 4H / 6H |
|---|---|
| Διάμετρος | Ø 2»/Ø 3»/Ø 4» |
| Πάχος | 330 um um ~ 350 |
| Προσανατολισμός | Στον άξονα /από τον άξονα από 4° |
| Αγωγιμότητα | N - τύπος/ημιμονωτικός |
| Υλικό πρόσμιξης | Ν2 (άζωτο)/Β (βανάδιο) |
| Ειδική αντίσταση (4h-ν) | 0,015 ~ 0,03 ωμ-εκατ. |
| Ειδική αντίσταση (6h-ν) | 0,02 ~ 0,1 ωμ-εκατ. |
| Ειδική αντίσταση (Si) | > 1E5 ωμ-εκατ. |
| Επιφάνεια | CMP που γυαλίζεται |
| TTV | |
| Τόξο/στρέβλωση | |
| Βαθμός | Βαθμός παραγωγής/ερευνητικός βαθμός |
